John Robertson院士谈金属半导体界面接触电阻难题和费米能级去钉扎理论设计方案
2023-05-24 10:55:52
5月17日，英国皇家科学院、工程院院士John Robertson教授做客珞珈讲坛第377讲，为师生带来题为“Metal Silicide/Si interfaces: Contact Resistances and Origin of Fermi Level Depinning”的学术讲座。电气与自动化学院党委书记郭新立为其颁发珞珈讲坛纪念牌。
John Robertson讲述了金属半导体界面接触电阻对电子器件性能的影响，综述了过去在金属界面肖特基势垒调控的理论和实验进展，特别是经典的金属诱导带隙态（MIGS）理论模型的优势与不足，阐明了采用化合物金属接触实现硅基器件更小肖特基势垒高度和更低接触电阻的物理根源，并将这一新型方案推广至诸如砷化镓/金属砷化物等界面，证明该方法的普适性。
在交流互动环节中，现场师生踊跃提问，John Robertson围绕大家提出的在新型电子器件中如何进一步降低接触电阻等相关问题作了耐心细致的回答。与会师生展开热烈讨论，取得了良好的交流互动效果。
本次讲座是武汉大学130周年校庆学术活动之一，由科学技术发展研究院、电气与自动化学院共同承办，电气与自动化学院郭宇铮教授主持讲座，来自全校各单位的200多位师生参加了讲座。
据悉，John Robertson是剑桥大学工程系的电子学教授。他于2015年入选英国皇家科学院院士（FRS），于2020年入选英国皇家工程院院士（FREng）。同时，他是APSFellow、IEEE Fellow和MRS Fellow，也是Diamond and Related Materials等杂志的名誉编辑。他因在半导体上集成高k氧化物方面的理论贡献而于2023年获得IEEE Cledo Brunetti奖。
来源：武汉大学
来源：武汉大学
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